三星、SK海力士减少NAND产量，以应对供应过剩问题

1月15日，SK海力士计划在今年上半年将其NAND产量减少10%。这家韩国存储器制造商的NAND总产能为每月30万片晶圆。由于供应过剩，NAND价格已连续四个月下跌。

1月24日消息，如今全球NAND闪存持续供过于求，相应市场面临严峻挑战，除了企业级SSD有动能支撑外，其他终端产品销量均普遍不如预期，供货商库存持续上升，订单需求下降。三星、SK海力士、铠侠、美光均已开始研究NAND闪存减产计划，从而缓解供需失衡并稳定价格，预计相关厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行。

3月17日，继闪迪此前通知4月1日将上调NAND闪存报价后，由于三星电子、SK海力士进行减产，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，美光、三星电子、SK海力士等厂商均将从4月起提高NAND闪存报价。NAND价格回涨速度高于原先预期。

SK海力士半导体（中国）有限公司是由全球半导体领头企业之一的韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片，应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等

SK海力士半导体（中国）有限公司是由全球半导体领头企业之一的韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂，主要生产12英寸半导体集成电路芯片，应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域。SK海力士半导体（中国）有限公司在锡进行了多次增资及技术升级，累计投资额达105亿美元。公司一直致力于打造世界半导体生产基地，与此同时，认真履行企业的社会职责，积极参与公益事业，为社会谋求福利。

历史沿革 海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。 2012年更名SK hynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统I

1月3日消息，SK海力士宣布将参加“国际消费电子产品展览会（CES 2025）”，并将展出16层堆叠HBM3E样品。SK海力士CEO郭鲁正表示，SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4)。

历史沿革海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士。2012年更名SKhynix。海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001

2月17日，据报道，韩国存储芯片巨头SK海力士正在紧急审查其使用的中国电子设计自动化（EDA）软件。对此，SK海力士相关人士表示：“中国产EDA软件的合同更新时间已到，公司目前正在评估是否继续使用。”

1月22日，根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出，NAND Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下，除了美光率先宣布减产，铠侠、三星和SK海力士也启动相关计划，可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce认为，NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式来实现减产目标。