中微半导体设备公司宣布等离子体刻蚀技术新突破

3月26日，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布其ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star®在等离子体刻蚀技术领域取得了新的突破。通过提升反应台之间气体控制的精度，该设备的反应台之间的刻蚀精度达到了0.2A（亚埃级），这一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上都得到了验证。该精度相当于硅原子直径2.5埃的十分之一，也是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。这是等离子体刻蚀技术领域的又一次创新突破。