我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件

2月2日，从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据悉，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。